机译:金属有机化学气相沉积法制备的(100)/(001)取向外延钛酸铅厚膜中应变松弛畴结构的实验证据
机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)/(001)取向外延钛酸铅厚膜中应变松弛畴结构的实验证据
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SrTiO_3衬底上生长的(001)/(100)取向外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中的应变松弛结构
机译:金属有机化学气相沉积在(100)SrTiO_3衬底上生长的(001)/(100)取向外延PbTiO_3薄膜中的应变松弛结构
机译:在(100)SrTiO_3衬底上生长的(100)/(001)取向外延PbTiO_3厚膜中的应变松弛畴结构的X射线分析
机译:基材通过金属有机化学气相沉积对钛酸铅和锆钛酸铅薄膜的生长和织构的依赖性。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过金属有机化学气相沉积在(100)SRTIO3基板上生长的(001)/(100)的菌株弛豫结构(001)/(100)的外延PB(Zr,Ti)O3薄膜
机译:mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长外延陶瓷氧化物薄膜的表征。